型号 | IPS118N10N G |
厂商 | Infineon Technologies |
描述 | MOSFET N-CH 100V 75A TO251-3 |
IPS118N10N G PDF | ![]() |
代理商 | IPS118N10N G |
产品变化通告 | Product Discontinuation 26/Jul/2012 |
标准包装 | 1,500 |
系列 | OptiMOS™ |
FET 型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET 特点 | 标准 |
漏极至源极电压(Vdss) | 100V |
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 75A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C | 11.8 毫欧 @ 75A,10V |
Id 时的 Vgs(th)(最大) | 4V @ 83µA |
闸电荷(Qg) @ Vgs | 65nC @ 10V |
输入电容 (Ciss) @ Vds | 4320pF @ 50V |
功率 - 最大 | 125W |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA |
供应商设备封装 | PG-TO251-3 |
包装 | 管件 |
其它名称 | SP000475890 SP000680974 |